Elm və mühəndislikdə daxili xassə müəyyən bir subyektin özündə və ya daxilində mövcud olan xüsusiyyətdir. Xarici xassə isə xarakterik olaraq subyektə xas olmayan xüsusiyyətdir. Məsələn, kütlə hər hansı fiziki obyektin daxili xüsusiyyətidir, çəki isə cismin yerləşdiyi qravitasiya sahəsinin təsirindən asılı olaraq dəyişən xarici xassəsidir. Daha dəqiq nümunə ilə izah etsək, 70 kq kütləli cismin Aydakı çəkisi, təxminən, 114 N (Nyuton), Yerdəki çəkisi isə 686 N-dır. Deməli, bu, onun xarici xassəsidir. Cismin kütləsinin isə həm Ayda, həm Yerdə 70 kq olması onun daxili xassəsini göstərir və bu xarici təsirlərlə dəyişmir.
Materialşünaslıqda daxili xassə materialın miqdarı və ya formasından asılı deyil, məsələn, materialın böyük və ya kiçik hissəciklərdən ibarət olması onun daxili xassəsini dəyişdirmir. Daxili xassələr, əsasən, materialın kimyəvi tərkibindən və quruluşundan asılıdır.[1] Xarici xassələr isə qarşısı alına bilən kimyəvi çirklənmələrin və ya struktur qüsurlarının mövcudluğundan asılı olaraq bir-birindən fərqlənir.[2]
Biologiyada daxili təsirlər orqanizmin və ya hüceyrənin daxilindən yaranır. Bunlara avtoimmuniteti və ya daxili immuniteti misal göstərmək olar.
Elektronikada və optikada cihazların və ya ümumi cihaz sisteminin daxili xassələri onun elə bir halıdır ki, ona müxtəlif növ nasazlıq və qüsurlar təsir göstərə bilmir.[3] Bu cür qüsurlar adətən dizayn, istehsal zamanı və ya cihazın ifrat dərəcədə işlədilməsi nəticəsində yaranır və çox zaman arzuolunmaz xarici xassələrin yaranmasına səbəb olur. Həm daxili, həm də xarici xüsusiyyətlərin müəyyən edilməsi, optimallaşdırılması və idarə edilməsi müasir elektrik və optik sistemlərin yüksək performansına və etibarlılığına nail olmaq üçün zəruri olan mühəndislik vəzifələrindəndir.[4]
- ↑ "What Is an Intrinsic Property in Chemistry?". ThoughtCo (ingilis). İstifadə tarixi: 23 iyun 2025.
- ↑ Mishra, Umesh and Singh, Jasprit, Chapter 1: Structural Properties of Semiconductors. In: Semiconductor Device Physics and Design, 2008, Pages 1–27, DOI:10.1007/978-1-4020-6481-4, ISBN 978-1-4020-6481-4
- ↑ Sune, Jordi and Wu, Ernest Y., Chapter 16: Defects Associated with Dielectric Breakdown in SiO2-Based Gate Dielectrics. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices (Edited by Fleetwood, Daniel and Schrimpf, Ronald), 2008, Pages 465–496, DOI:10.1201/9781420043778, ISBN 9781420043778
- ↑ Ueda, Osamu and Pearton, Stephen J. editors, Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices, 2013, DOI:10.1007/978-1-4614-4337-7, ISBN 978-1-4614-4337-7