Oqtay Səmədov 1952-ci il aprelin 5-də Neftçala rayonunun Xol Qarabucaq kəndində müəllim ailəsində anadan olmuşdur. 1969-cu ildə Salyan şəhəri Nizami adına 2 nömrəli orta məktəbi, 1975-ci ildə isə Azərbaycan Dövlət Universitetinin (indiki Bakı Dövlət Universiteti) Fizika fakültəsini müvəffəqiyyətlə bitirmişdir. Əmək fəaliyyətinə müəllimliklə başlayan O. Səmədov 1975–1979-cu illərdə Xolqarabucaq kənd orta məktəbində fizika müəllimi işləmişdir. 1979-cu ildə Radiasiya Problemləri İnstitutunun "Seqnetoelektriklərin radiasiya fizikası" laboratoriyasında baş elmi işçi vəzifəsində çalışmışdır.

Oqtay Səmədov 1980-ci ildə Radiasiya Problemləri İnstitutunun aspiranturasına daxil olmuş, 1988-ci ildə "Spontan polyarizasiya olunmuş kristallarda faza keçidlərinin dielektrik və piroelektrik xassələrinin tədqiqi" mövzusunda dissertasiya işini müdafiə edərək fizika-riyaziyyat elmləri namizədi elmi dərəcəsi almışdır.

Professorun sonrakı elmi fəaliyyəti TlInS₂ və TlGaSe₂ kristalları əsasında yaradılmış relaksor seqnetoelektriklərin fiziki xassələrinin tədqiqinə həsr olunmuş və bu sahədə böyük praktik əhəmiyyətə malik olan elmi nəticələr əldə olunmuşdur. 2006-cı ildə bu mövzuda doktorluq dissertasiyasını müdafiə edən O. Səmədovun tədqiqatlarında ifratkeçirici birləşmələr alınmış və bu birləşmələrin ifratkeçiricilik temperaturu müəyyənləşdirilmişdir. Radiasiyanın ifratkeçiricilik temperaturuna və xüsusi müqavimətinə təsiri öyrənilmişdir. Şüalanmış, aşqarlanmış və interkalyasiya olunmuş yarımkeçirici seqnetoelektriklərin dielektrik və elektrik ölçmələri ilə nanodomen relaksor halı tədqiq olunmuşdur.

O. Səmədov seqnetoelektriklərin radiasiya fizikası və texnologiyası sahəsində Azərbaycanda aparılan ilk tədqiqatların müəllifidir. Onun tərəfindən oksigen-oktaedrik quruluşlu spontan-polyarizasiya olunmuş kristallarda faza keçidlərinə radiasiyanın təsiri sahəsində mühüm araşdırmalar aparılmışdır.

Alim elmi tədqiqatlara elektrik və maqnit sahələrinin müxtəlif seqneto və antiseqnetoelektriklərdə struktur faza keçidlərinə təsirin tədqiqi ilə başlamışdır.

Onun müəllifi olduğu radiasiya materialşünaslığına dair 200-dən artıq məqalə dünyanın aparıcı nəşrləri olan yüksək impakt faktorlu "Ferroelectrics", "Физика твердого тела", "Physica Status solidi", "International Journal of Theoretical and Applied Nanotechnology" və digər jurnallarda dərc olunmuşdur. Bu məqalələrə yalnız son 3 ildə dünyanın məşhur elm mərkəzlərindən olan tədqiqatçıların istinadlarının sayı 200-ü keçir.

O. Səmədov 2013-cü ildə Azərbaycan Prezidenti yanında Ali Attestasiya Komissiyasının qərarı ilə professor elmi adını almışdır.

2014-cü ildə Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası Radiasiya Problemləri İnstitutunun "Nizamsız bərk cisimlərin radiasiya fizikası" laboratoriyasının rəhbəri seçilmiş, 2015-ci ildə isə həmin institutun direktoru vəzifəsinə təyin olunmuşdur. İnstituta rəhbərlik etdiyi qısa müddət ərzində ölkənin nüvə və radiasiya təhlükəsizliyini təmin etmək üçün cəbhə bölgəsində, transsərhəd sularda və onların dib çöküntülərində radioaktiv izotopların və ağır metalların paylanmasını aşkar etmək məqsədilə ekspedisiyalar təşkil etmiş və alınmış nəticələr müvafiq dövlət orqanlarına təqdim edilmişdir. Azərbaycanın nüvə və radiasiya təhlükəsizliyində nüvə və radioaktiv materialların qaçaqmalçılığı və nüvə terrorizminin qarşısının alınması məqsədilə sərhəd keçid məntəqələrində xüsusi monitorinq avadanlıqlarının qurulması, işlək vəziyyətdə saxlanılması, sərhəd və gömrük qurumu əməkdaşları üçün tədris kurslarının keçirilməsi ABŞ Energetika Nazirliyinin təhlükəsizlik departamentinin dəstəyi ilə Radiasiya Problemləri İnstitutu tərəfindən icra olunmuşdur. İonlaşdırıcı şüaların qeydiyyatı üçün yeni detektorların işlənilməsi və onların əsasında radiasion cihazqayırmanın ölkəmizdə genişlənməsi həyata keçirilmişdir.

O. Səmədov Atom Enerjisi üzrə Beynəlxalq Agentliyin (İAEA) Beynəlxalq Nüvə İnformasiya Mərkəzinin (İNİS) Azərbaycan Bölməsinin rəhbəridir. O, Azərbaycan Respublikasının Prezidenti yanında Elmin İnkişafı Fondunun, Ukrayna Elmi Texniki Mərkəzinin bir neçə layihə müsabiqəsinin qalibi olmuş və bu layihələri uğurla başa çatdırmışdır. 2017-ci ilin sentyabrında Qazaxıstanın Almatı şəhərində keçiriləcək "Nüvə elmləri və texnologiyaları" Beynəlxalq elmi Forumunun Təşkilat Komitəsinə üzv seçilmişdir. 2 may 2017-ci ildə Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının müxbir üzvü seçilmişdir.

O. Səmədov seqnetoelektrik və antiseqneto-elektriklərin faza keçidlərinə xarici faktorların təsirini öyrənməklə məşğul olmuşdur və alınan nəticələri ümumiləşdirərək ilk dəfə olaraq spontan polyarizasiya olunmuş kristallarda birinci və ikinci faza keçidləri üçün qanunauyğunluqlar müəyyən etmişdir. TlİnS₂ və TlGaSe₂ kristallarına müxtəlif ion radiuslu aşqarlar daxil etməklə, onların dielek-trik, piroelektrik, elektrik xassələrini və γ-şüaların bu xassələrə təsirini öyrənmişdir. Göstərmişdir ki, TlİnS₂ kristalını müxtəlif Yan-Teylor atomlarılə aşqarladıqda alınan birləşmələr relaksor seqnetoelektriklər üçün xarakterik olan xassələr göstərir.

Alim dielektrik və elektrik relak-sasiyası, impedans spektrini öyrənməklə birinci dəfə olaraq TlGaTe₂ , TlİnTe₂ və TlInSe₂ kristallarında superion keçiriciliyi müşahidə etmişdir.

Oqtay Səmədov seqneto-antiseqneto və yarımkeçirici-seqnetoelektriklərin piroelelektrik, dielektrik xassələri üzrə elmi məktəb yaratmış, onun rəhbərliyi ilə 4 fəlsəfə doktoru və 1 elmlər doktoru yetişdirmişdir. Hazırda alimin rəhbərliyi altında radiasiya materialşünaslığı ixtisası üzrə 2 elmlər doktoru və 3 fəlsəfə doktorluğu işləri müvəffəqiyyətlə yerinə yetirilir.

1. Spontan-polyarizasiyalı kristallarda ardıcıl faza keçidləri üçün qanunauyğunluqlar verilmişdir.

2. TlİnS₂ və TlGaSe₂ kristalları əsasında, yeni relaksor seqnetoelektriklər sinfi aşkar edilmişdir. Bu birləşmələrin relaksor halına keçməsi üçün kritik radiasiya dozası müəyyən olunmuşdur.

3. TlİnS₂ və TlGaSe₂ kristallarında superion keçiriciliyi müşahidə edilmiş və onun radiasiya dozasından asılılıq kinetikası öyrənilmişdir.

Bu tədqiqatların nəticələri məqalə şəklində 33 beynəlxalq referə edilən (peer-reviewed scientific journals) jurnallarda və Respublika nəşrlərdə 49 məqalə çap edilmişdir, 1 patenti vardır, beynəlxalq və ölkə daxili konfranslarda 109 məruzə edilmişdir. 191 elmi əsərin müəllifidir, 43 məqaləsi xaricdə dərc olunub.

• 1. Ferroelectricity and polytypism in TlGaSe₂ crystals. Solid State Com, 1991, v.77, N.6, 453
• 2. The spontaneus relaxor-ferroelectric transition of TlInS₂ with cationic impurities. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials (JOAM), 2003, v.5, No.3,276
• 3. Relaxor properties of TlInS₂ comosites with nanodomain state. Ferroelectrics, 2004, v. 298, 275.
• 4. Релаксорные свойства и механизм проводимости γ- облученных кристаллов TllnS₂. ФТТ, 2005, т.47, вып. 9, 1665
• 5. Dielectric properties, conduction mechanism and possibility of nanodomain state with quantum dot formation in gamma-irradiated impurity-doped incommensurate TlInS₂. Physica Status solidi (A) 2006, 203, No. 11, 2845
• 6. Conduction anisotrjpy of intercalated relaxor TllnS₂<Ge> ferroelectrics. Russia /CIS/ Baltik/Japan Symposium on Ferroelectricity RCBJSF-9, Vilnius, Lathuania, 2008, 561
• 7. Features of conductivity anisotropy of intercalated nanodimensional relaxor TllnS₂<Ge>. Journal "ScientificIsrael-Technological Advantages" Material engineering, 2009, v. 11, no.1,99
• 8. Особенности проводимости γ- облученных кристаллов TlGaTe₂ с наноцепочечной структурой. ФТП, 2010 том 44, вып.5, 610
• 9. Гигантская диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaТе₂. ФТТ, 2011, т.53, вып.8, 1488
• 10. Суперионная проводимость кристаллах В TlGaTe₂. ФТП, 2011,том 45, вып.8, 1009
• 11. Superionic conductivity in One-Dimensional Nanofibrous TiGaTe₂ Crystals. Japanese J. Appl. Physics. 50(2011), 05FCO9–1
• 12. Суперионная проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInTe₂ и TlInSe₂. ФТП, 2011, том 45, вып.11, 1441
• 13. Superionic Conductivity and γ –Radiation-Induced Effects in Nanofibrous TlGaTe₂ Crystals. International Journal of Theroretical and Applied Nanotechnology. vol.1, Issel 1, 2012. p. 20–28.
• 14. Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaТе₂ облученных γ- квантами. ФТП, 2013, т. 47, в.5, с.696–701.
• 15. Поляризация вызванная объемыми зарядами и ионная проводимость в кристаллах TlInSe_2. ФТП, 2014, т. 48, в.4, с.442–447.
• 16. Prospective Application of A³B³C⁶₂ Type Semiconductors for Developing Nano-size Electronic Devices. International Journal of Theoretical and Applied Nanotechnology Volume 2, Issuse 1, Year 2014 Journal ISSN: 1929–2724 DOI: 10.11159/ ijtan.2014.00
• 17. Impedance spectroscopy study of phase transitions to ionic and superionic conductivity states in Ag₂S and Ag₂Se. Physica status solidi (c). Apr 24, 2015,1–5 (2015)/ DOI 10.1002/ pssc. 201400366.
• 18. Temperature dependent spectroscopic ellipsometry of AgSe and AgS with phase transitions from ionic to superionic conductivity state. Physica status solidi (c).5 MAY 2015, DOI: 10.1002/pssc.201400367.