Abdullayev Nadir Allahverdi oğlu (1 noyabr 1955, Bakı) — azərbaycanlı alim, Fizika üzrə elmlər doktoru, AMEA Fizika İnstitutunun , Azərbaycan Respublikasının Dövlət Mükafatı laureatı.
| Nadir Abdullayev | |
|---|---|
| Nadir Allahverdi oğlu Abdullayev | |
 | |
| Doğum tarixi | 1 noyabr 1955 (69 yaş) |
| Doğum yeri | |
| Milliyyəti | azərbaycanlı |
| Elm sahəsi | fizika |
| Elmi dərəcəsi | |
| İş yeri | |
| Təhsili | |
| Mükafatları |
|
Həyatı
Abdullayev Nadir Allahverdi oğlu 1 noyabr 1955-ci ildə Bakıda anadan olub. 1979-cu ildə Moskva Dövlət Universitetinin fizika fakültəsini bitirib. 1979–1981-ci illərdə hərbi qulluğunu çəkib. 1981-ci ildə AMEA Fizika İnstitutuna kiçik elmi işçi kimi qəbul olunub. 1985-ci ildə "Laylı kristalların istilikdən genişlənməsinin xüsusiyyətləri" mövzusunda namizədlik dissertasiyasını müdafiə edib. 2010-cu ildə "Güclüanizotrop kristallarda fonon proseslərinin və yükdaşıyıcıların lokallaşma effektlərinin xüsusiyyətləri" mövzusunda doktorluq dissertasiyasını müdafiə edib. 2015 ildə laboratoriya rəhbəri vəzifəsinə seçilib. 2020-ci ildə Azərbaycan Respublikasının Prezidenti İlham Əliyevin sərəncamı ilə 2020-ci il üçün elm sahəsində Azərbaycan Respublikasının Dövlət Mükafatına layiq görülmüşdür.
- Elmi əsərlərinin sayı-180
- Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı-60-dan çox
- Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı -51
- Kadr hazırlığı-3
- Elmi-pedaqoji fəaliyyəti-4
Əsas elmi nailiyyətləri
Klassik laylı kristalda – qrafitdə lay müstəvisində mənfi istilikdən genişlənmənin və istilikkeçirilməsində "istilik anomaliyasının" "membran" effekti əsasında izahı verilmişdir. GaS, GaSe, InSe, TlGaSe2 və b. laylı kristalarda lay müstəvisində mənfi istilikdən genişlənməsi aşkar olunub və izahı verilib.
TlGaSe2 və TlInS2 kristalların istilikdən genişlənməsinə xarici şüalanmanın və tətbiq olunan elektrik sahənin təsirindən istilik xassələrində elektron altsisteminin mühüm rolu müəyyən edilmişdir.
Bir sıra laylı kristallarda (yarımkeçiricilərdə, yarımmetallarda və metallarda) geniş temperatur intervalda 0,3–300К və güclü magnit sahələrdə 8Tl-qədər laylar boyunca və perpendikulyar istiqamətdə yükdaşıyıcıların köçürülmə xüsusiyyətləri tədqiq olunub. Alınan nəticələr lokallaşma hallar üzrə sıcrayış keçiricilik, zəif lokallaşma və zəif antilokallaşma effektləri nəzəri almaqla izah olunub.
Bir sıra nazik təbəqəli strukturlar (Bi2Te2,7Se0,3, InAs0,56Sb0,44 və s.) alınıb və onlarda bəzi fiziki prosseslər (rentgen difraksiyası, raman səpilməsi, elektron microscopiyası, spektal ellipsometriya, elektrik və qalvanomaqnit effektlər və s. ) öyrənilib.
Yeni (MnBi2Te4)(bi2Te3)n (n=0,1,2…) tərkibli maqnit topologi izolyatorların optik (raman səpilməsi), elektrik və qalvanomaqnit xassələri tədqiq olunub.
Əsas elmi əsərləri
- G.L.Belenki, E.Yu.Salaev, R.A.Suleimanov and N.A.Abdullaev. The nature of temperature dependence of energy gaps in layer semiconductors. Solid State Commun., 47, 263 (1983).
- Г.Л. Беленький, Р.А. Сулейманов, Н.А. Абдуллаев, В.Я. Штейншрайбер. Тепловое расширение слоистых кристаллов. Модель Лифшица. Физика твёрдого тела, 26, 3560 (1984).
- Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Природа анизотропии проводимости и особенности локализации электронов в слоистом селениде индия. Письма в ЖЭТФ, 47, 498 (1988).
- Н.А. Абдуллаев. Параметры Грюнайзена в слоистых кристаллах. Физика твёрдого тела, 43, 697 (2001).
- Н.А. Абдуллаев. Особенности упругих свойств слоистых кристаллов. Физика твёрдого тела, 48, 623 (2006).
İstinadlar
- ↑ ( (az.)). 22.05.2020. Archived from the original on 2021-08-24. İstifadə tarixi: 16.01.2021.
- . 2019-08-12 tarixində . İstifadə tarixi: 2017-06-22.
- . 2021-05-18 tarixində . İstifadə tarixi: 2021-01-17.
- (PDF). 2023-08-04 tarixində . İstifadə tarixi: 2021-01-17.
- (PDF). 2021-01-22 tarixində (PDF) arxivləşdirilib. İstifadə tarixi: 2021-01-17.
- (PDF). 2021-01-22 tarixində (PDF). İstifadə tarixi: 2021-01-17.
- . 2021-01-22 tarixində . İstifadə tarixi: 2021-01-17.