12 fevral 1941-ci ildə Gəncə şəhərində doğulub.

Germanium-silisium kristallarında dərin və dayaz aşqar atomlarının əsas enerji hallarının spektri təyin edilib. Geniş temperatur intervalında Ge-Si sistemində sərbəst elektrik yük daşıyıcılarının səpilmə mexanizmləri və qanunauyğunluqları öyrənilib. Aşqar atomlarını əhatə edən nanohəcmlərin tərkibinin qeyri identivliyi ilə əlaqəli bərk məhlul kristallarında yaranan elektron xassələrinin xüsusiyyətləri aşkar edilib və araşdırılıb.

Böyük Britaniyada aparılan tədqiqatlar əsasında göstərilib ki, almazabənzər A3B5 kristallarında ultrakvant rejimdə, elektronların aşqar ionlarından səpilməsi üstünlük təşkil edəndə, matrisada böyük neqativ uzununa maqnit müqaviməti müşaidə edilir.

Yarımkeçirici bərk məhlul sistemlərinin verilmiş tərkibdə alınması, onların müxtəlif aşqar elementlərlə leqirə edilmə texnologiyaları və bu məsələlərin fiziki-riyazi əsasları geniş inkişaf etdirilib. Ərintidən bircinsli və dəyişən tərkibli yarımkeçirici bərk məhlul monokristallarının alınması və aşqarlanması üçün bir sıra innovativ üsulların kosepsiyaları və nəzəri əsasları verilib.

1. Negative magnetoresistance in Indium Arsenide in the extreme quantum limit — Phys. Stat. Sol. (B), 1978, n.87
2. Deep Impurity Levels in Ge-Si Alloys — Solid State Communication, 111 (1999), pp. 675–679.
3. Distribution of components in Ge-Si bulk single crystals grown under the continuous feeding of the melt with the second component — Journal of Crystal Growth, 226 (2001), pp. 437–442.
4. Distribution of components in Ge-Si bulk crystals grown by the zone leveling method — Chinese Journal of Physics, 41(2003), pp.79–84.
5. Segregation of Aluminum and Indium Impurities in Ge-Si Crystals — Inorganic Materials, 2007, Vol. 43, pp. 3–7.
6. Growth of Single Crystals of Semiconductor Solid Solutions by Double Feeding of the Melt Method. Crystallography Reports, 2010, Vol. 55, No. 4, pp. 716–719.
7. The Directional Constitutional Supercooling of the Melt Method. Growth Dynamics of Compositionally Graded Ge-Si Single Crystals. Materials of 2011 Wold Congress on Engineering and Technology, Oct. 28-Nov.2, 2011, Shanghai, China, pp. 236–240.
8. Hybrid Technique for Growing Homogeneous Single Crystals of Semiconductor Solid Solutions from Melt- Crystallography Reports, 2014, Vol. 59, No. 3, pp. 442–445.
9. Deep Acceptor Complex in Thermally Processed Ge–Si〈Ga, Ni〉 Crystals — Crystallography Reports, 2014, Vol. 59, No. 4, pp. 563–566.
10. Modeling the distribution of Ga and Sb in Ge-Si crystals grown by double feeding of the melt- Inorganic Materials, 2016, Vol. 52, pp. 244–248.

AMEA Fizika İnstitutunun laboratoriya müdiri, AMEA Fizika İnstitutunun Ümumi sektorunun rəhbəri, Bakı Dövlət Universitetinin D02.012 (bərk cisim fizikası) Dissertasiya Müdafiə şurasının üzvü, 2011–2012-ci illərə Azərbaycan Respublikası Prezidenti yanında Ali Attestasiya Komissiyasının fizika üzrə ekspert şurasının sədri, Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının "Xəbərlər" jurnalı, Fizika- riyaziyyat və texnika elmləri seriyasının Fizika və Astronomiya buraxılışının redaksiya heyətinin üzvü, Elmlər Akademiyalarının Beynəlxalq Assosiasiyasının "Elektron texnikasının funksional materialları" Şurasının üzvü və Fizika institutunun elmi şura üzvi kimi elmi-təşkilatı fəaliyyət göstərir.