Xarici təsir olmadıqda yarımkeçiricilərdə əsas yük daşıyıcıların generasiyası valent zonasından keçirici və ya akseptor səviyyələrinə və yaxud donor səviyyəsindən keçirici zonaya keçidlərlə elektronların istilik həyəcanlanması hesabına baş verir. Bu zaman keçirici zonasında sərbəst elektronlar, valent zonasında isə sərbəst deşiklər əmələ qəlir.

İki tərs proses - yük daşıyıcıların generasiyası və rekombinasiyası nəticəsində, yarımkeçirici kristalın tərkibində elektronların - n₀ və deşiklərin -р₀ konsentrasiyası tarazlıq halına gələrək istilik tarazlıq halını yaratmış olurlar.

Sərbəst yük daşıyıcıların generasiyası hesabına yarımkeçiricilərdə hər zaman əks qiymətə malik yük daşıyıcılar əmələ gəlir. Beləliklə yarımkeçiri kristallarda yüklənmiş hissəciklərin cəm yükü sıfıra bərabər olur, bu isə yarımkeçiricinin elektrik olaraq tam neytrallığı deməkdir. Elektrik neytrallıq şərti bu cür ifadə olunur:

${\displaystyle n_{0}+N_{A}^{-}=p_{0}+N_{D}^{+}}$

burda n₀ və р₀ – elektronların keçirici zonasında və deşiklərin valent zonasında tarazlıq konsentrasiyasıdır; ${\displaystyle N_{A}^{-}}$ və ${\displaystyle N_{D}^{+}}$ - akseptor və donorların bir qat ionlaşmış atomların konsentrasiyasını ifade edir.