Abasət İsayev 1948-ci il oktyabrın 7-dəNaxçıvan Muxtar Respublikası Ordubad rayonunun Kotam kəndində^{[mənbə göstərin]} anadan olmuşdur. O, 1971-ci ildə Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakultəsini bitirib və AMEA Fizika İnstitutunda yarımkeçiricilər fizikası ixtisası aspiranturaya daxil olub.^{[mənbə göstərin]} Burada selen yaımkeçiricisinin elektron xassələrinin tədqiqi üzrə elmi-tədqiqat işləri aparıb və 1976-cı ildə namizədlik, 1992-ci ildə doktorluq dissertasiyası müdafiə edib. Abasət İsayev 2017-ci ildə professor elmi adını alıb.

Onun həm namizədlik, həm də doktorluq dissertasiyası kristal və amorf selen və selen əsasında olan yarımkeçirici sistemlərdə elektron proseslərinin tədqiqinə həsr olunmuşdur. Abasət İsayev tərəfindən ilk dəfə olaraq selen monokristalında bir sıra qeyri-tarazlıqlı proseslər (qalıq və mənfi fotokeçiricilik, foto və elektro-stimulyasiya effektləri, anomal fotokeçiricilik, fotocərəyanın alçaq tezlikli rəqsləri və s.) müşahidə edilmiş və həmin effektlərin kompleks şəkildə tədqiqi nəticəsində yükdaşıyıcıların generasiya-rekombinasiya proseslərini və dreyfini idarə edən müxtəlif təbiətli baryerlərin parametrləri təyin edilmiş, həmin proseslərin mexanizmi aydınlaşdırılmışdır.

İsayev 1994-cü ildən Dövlət İmtahan Mərkəzi (DİM) ilə əməkdaşlıq edir və 2015-ci ildən Fizika institutunun magistrantlarına müxtəlif fənnləri tədris edir. O, 1994–2010-cu illərdə Bakı şəhərindəki 289 saylı məktəbdə (Zəngi liseyində) fizika fənnini tədris edib. Abasət İsayev 2004–2011-ci illərdə Azərbaycan Təhsil Nazirliyinin Fizika fənni üzrə Elmi-Metodiki Şurasının sədr müavini, 2008-ci ildən isə Dövlət İmtahan Mərkəzində Fizika fənni üzrə ekspert olmuşdur.^{[mənbə göstərin]}

Abasət İsayev 130 elmi əsərin müəllifidir və bunlardan 60-ı ölkədən xaricdə, 40-ı isə beynəlxalq bazalarda indekslənmiş jurnallarda dərc olunmuşdur. O, 4 müəlliflik şəhadətnaməsi və patentin sahibidir.

• A.I. Isayev, S.I.Mekhtieva, N.Z.Jalilov, R.I, Alekperov, Localised states in the band gap of chalcogenide glass-like semiconductors of Se–As system with Sm impurity,Solid State Communications, 149, ISS 1-2, (2009) 45
• А. И. Исаев, С.Н. Гарибова ,В.З.Зейналов Алекберов Р.И., Исследование оптических параметров халькогенидной полупроводниковой системы Se-As , содержащей примеси EuF3 Физика и техника полупроводников 2011, том45, вып,8,ст.1026-1030
• A.I. Isayev, S. I. Mekhtieva, N. Z. Jalilov, R.I. Ələkbərov V.Z. Zeynalov. The optical absorption of Se95As5 system doped by atoms of samarium // J. of Optoelectronics and Advanced Materials-RC, vol.1, ISS .8, 2007, p.368-372