Zöhrab Əhməd oğlu Vəliyev — ABŞ-nin Nyu-York Elmlər Akademiyasının həqiqi üzvü, AMEA-nın müxbir üzvü, professor.[1][2]
| Zöhrab Vəliyev | |
|---|---|
| Zöhrab Əhməd oğlu Vəliyev | |
 | |
| Doğum tarixi | |
| Doğum yeri | Naxçıvan, Naxçıvan MSSR, Azərbaycan SSR, SSRİ |
| Vəfat tarixi | |
| Vətəndaşlığı |
 SSRİ Azərbaycan |
| Milliyyəti | azərbaycanlı |
| Elmi dərəcəsi | fizika-riyaziyyat elmləri doktoru |
| Elmi adı | professor |
| Təhsili | M.V.Lomonosov adına Moskva Dövlət Universiteti |
| Mükafatları |
 |
 Vikianbarda əlaqəli mediafayllar | |
Zöhrab Əhməd oğlu Vəliyev 1953-cü il iyunun 4-də Naxçıvan şəhərində anadan olmuşdur. O, ali təhsilini M.V.Lomonosov adına Moskva Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində almışdır 1977-ci ildən Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının Fizika İnstitutunda, 1986-cı ildən ömrünün sonunadək isə Naxçıvan Dövlət Universitetində fəaliyyət göstərmiş, universitetin Elmi Şurasının elmi katibi, Texniki təlim fakültəsində dekan müavini və Fizika-riyaziyyat fakültəsində dekan vəzifələrini daşımışdır. Z.Vəliyev 1997-ci ildən etibarən Naxçıvan Dövlət Universitetinin Elmi işlər üzrə prorektoru olmuşdur. 2003-cü ildə AMEA-nın müxbir üzvü seçilmişdir. AMEA-nın müxbir üzvü Zöhrab Vəliyev 2003-cü ildə vəfat etmişdir.
- Elmi əsərlərinin sayı-93
- Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı-24
- Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı-17
- Kadr hazırlığı-1 fəlsəfə doktoru
Z.Vəliyevin əsas elmi tədqiqatları xarici elektrik, klassik və kvantlayıcı maqnit sahələrində qıraq yüklü dislokasiyalı yarımkeçiricilərin elektrik, fotoelektrik və optik xassələrinin ardıcıl nəzəriyyəsinin qurulması; elektron və deşik keçiriciliyinə malik yarımkeçirici kristallarda hərəkət edən yüklü dislokasiya- Iarm modelinin verilməsi və onun əsasında deformasiya lüminesensiya hadisəsinin, elektronların dinamik həyəcanlaşma effektinin, dislokasiya xarakterli sövq cərəyanlarının araşdırılması; parçalanmış dislokasiyalar sisteminin tədqiqi və alınan nəticələr arasında yarımkeçirici birləşmələrdə dislokasiyaların tipinin təyini üçün yeni rezonans üsulunun verilməsi; qıraq dislokasiyalarda elektronların Viqner kristallaşmasının tədqiqi və bu kristallaşmanı müşahidə etmək üçün yeni rezonans üsulunun təklifi; qıraq dislokasiyalı yarımkeçiricilərdə rekombinasiya dalğalarının yayılmasının tədqiqi; yarımkeçirici kristallarda istiqamətlənmiş qıraq yüklü dislokasiyalar sisteminin əmələ gətirdiyi yəhərvari nöqtəyə malik potensial çəpərin elektrofiziki parametrlərinin tədqiqi, bu tip kristallarda Volt-amper və Volt-farad xarakteristikalarının təyini və cərəyanın keçmə məsələsinin nəzəriyyəsinin verilməsi; həm akustik fononlardan elastik səpilmə zamanı, həm də optik fononlardan qeyri-elastik səpilmə zamanı elektron keçiriciliyinə malik qıraq yüklü dislokasiyaları yarımkeçirici kristallarda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların xarici sahə olmadıqda, xarici elektrik sahəsində, xarici klassik və kvantlayıcı maqnit sahələrində, xarici elektromaqnit sahəsində və eyni zamanda, onların müxtəlif kombinasiyalarında rekombinasiya hadisəsinin nəzəriyyəsinin işlənilməsidir.
- Cascade capture of electrons by dislocations in many-valley semiconductors // SEMICONDUCTORS, 1999, v.33, n.12, p. 1291-1292
- The electron density of semiconductors with charged dislocations placed in external fields // SEMICONDUCTORS, 1999, v.33, n.11, p. 1175-1177
- Термическая ионизация дырок из дислокационного центра в электрическом поле // ФТП, 1990, т.24, в.3, стр. 347-348
- Коэффициент захвата дырок на плотных дислокационных рядах в полупроводниках при наличии квантующего магнитного поля // ФТП, 1989, т.23, в.8, стр. 947-948