PN keçidi — Elektronika sənayesində istifadə edilən diod, tranzistor və inteqral (İC) dövrə elementlərinin istehsalında istifadə edilir.
Silisium və ya Germanium kristalına kifayət qədər aşqar olunaraq, p-tipli və n-tipli maddələr yaradılmışdı. Bu maddələr tək halda elektrik funksiyaları yerinə yetirməzlər. P və N tipli element bir arada istifadə edilsə, bu keçidə P-N keçidi deyilər. Böyük və kiçik daşıyıcılarının ikisi də göstərilmişdir. Şəkildə P-N keçidi sahəsində müsbət və mənfi ionlarla yaradılan gərginlik səddi görülür. Yaranan bu gərginlik səddi; 25℃-də silisium üçün maneə 0.7 volt, germanium üçün 0.3 volt civarındadır. Bu gərginliyə "diodun əks gərginliyi" deyilir.
Diodun əks gərginliyi temperaturdan təsirlənir. Məsələn, temperatur miqdar-ındakı hər 1℃ artım, diodun əks gərginliyinin təxminən 2.3mv azalmasına səbəb olur. Diodun əks gərginliyi çox əhəmiyyətlidir. Çünki P-N keçidinə kənardan tətbiq olunan gərginliyin yaradacağı cərəyan miqdarının stabil olmasını təmin edir.[1]
- ↑ "Luque, Antonio; Steven Hegedus (29 March 2011). Handbook of Photovoltaic Science and Engineering". 4 August 2023 tarixində arxivləşdirilib. İstifadə tarixi: 8 September 2019.
Bu məqalə qaralama halındadır. Məqaləni edərək Vikipediyanı zənginləşdirə bilərsiniz. |