Araslı Dürdanə Həmid qızı 1939-cu il iyunun 9-da Bakı şəhərində doğulmuşdur. O, 1956-cı ildə orta məktəbi qızıl medalla, 1961-ci ildə Azərbaycan Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsini fərqlənmə diplomu ilə bitirmişdir. 1961-ci ildən Elmlər Akademiyasının Fizika İnstitutunda elmi fəaliyyətə başlamış və hazırda İnstitutun baş elmi işçisidir. Moskva Dövlət Nadir Metallar İnstitutunda məqsədli aspiranturada oxumuş, 1967-ci ildə namizədlik, 1987-ci ildə doktorluq dissertasiyası müdafiə etmişdir.

D. H. Araslının tədqiqatları mikro və optoelektronika sahəsində geniş tətbiq olunan perspektivli yarımkeçirici materiallarda köçürmə hadisələrinin öyrənilməsi istiqamətindədir. O, əsasən bərk cisimlər fizikasının əsas məsələlərindən biri olan istilik keçiriciliyinin tədqiqi, onlarda fonon-fonon, fonon — elektron qarşılıqlı təsiri, həmçinin fononların kristaldakı qeyri bircinsliliklərdən səpilməsi məsələlərinin aydınlaşdırılması problemi ilə məşğul olur. Araslı D. H. İnstitutda fəaliyyət göstərən dissertasiya şurasının elmi katibidir.

Yüksək dərəcədə legirlənmiş klassik yarımkeçiricilərdə — germanium və silisiumda kinetik effektlərin kompleks tədqiqi ilə məşğul olmuş və müxtəlif növ aşqarların istiliyin köçürmə hadisələrində yaratdığı xüsusiyyətləri müəyyənləşdirmişdir.

III–V və II–VI birləşmələri, onların əsasında alınan bərk məhlullarda və evtektikalarda istilikkeçiricilik məsələlərini hərtərəfli və dərindən tədqiq etmişdir. Tədqiq olunan kristallarda istiliyin daşınma mexanizmi, müxtəlif fonon qruplarının qəfəs istilik keçiriciliyində iştirakı müəyyənləşdirilmiş, fononların elektronlardan, kristalın sərhədindən, nöqtəvi defektlərdən, lokal modalardan səpilməsi, atılma və normal proseslərin güc əmsalları təyin edilmişdir. O, eyni zamanda tədqiq etdiyi maddələrin istilik çeviricilərində tətbiq olunma imkanlarını da göstərmişdir.

Darzolaqlı yarımkeçiricilərdə elektron və fonon proseslərini tədqiq etmiş, keçirici zonanın qeyri parabolikliyinin və səpilmənin qeyri elastiklik xarakterinin kinetik əmsallara təsirini aydınlaşdırmışdır. Darzolaqlı yarımkeçiricilərdə termoelektrik və termomaqnit hadisələrini öyrənərək onların infraqırmızı şüaların qəbulediciləri və detektorları üçün həssas element kimi tətbiq dairəsini də müəyyənləşdirmişdir.

Yüksək temperaturlarda və dar faza keçidi oblastında bərk cisimlərin istilik parametrlərini tədqiq etmək üçün laboratoriyada "işıq impulsu ilə qızdırma metodu" əsasında qurğunun yaradılmasında fəal iştirak etmişdir. Bu metod əsasında "Alfa" tipli ekspress cihazlar hazırlanmış və xalq təsərrüfatı nailiyyətləri sərgisinin medalına layiq görülmüşdür

1. Влияние межфажных зон на электрические свойства эвтектического композита InSb-MnSb Изв. РАН сер. Неорган. матер., 2016,52, № 4,468–472
2. GaSb-CrSb Evtektik kompozitin istilik keçiriciliyində xüsusiyyətlər, Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasinin Xəbərləri FRTE seriyası,2016 № 2. 56–60.
3. О тепловых свойствах Ag2Te и Ag2Se в облости фазового перехода ФТП , т.48,в.4 , с 438–441,2014
4. Особенности механизма проводимости Bi1-xSBx вблизи перехода полиметалл-полупроводник Aviasiya Milli Akademiyası Elmi Məcmuələr, ç 16, № 4, S33–38, 2014
5. InSb-FeSb kompozitin nazik təbəqəsinin alinmasi və strukturu. Fizika, v15, section; Az, s.68–70. 2013.
6. GaSb, İnSb və dəmir qrupu elementləri əsasında kompo-zitlərin nazik təbəqələrinin alınması Aviasiya Milli Akademiyası Elmi Məcmuələr, ç 15, № 4, s.27–29, 2013
7. GaSb-FeGa1.3 və GaSb-CoGa1.3 evtektik kompozitlərin rentgen-qrafik və mikrostruktur tədqiqi AMEA-nın Xəbərləri, FRTE seriyası, 2012, № 2, s. 25–30, 2012.
8. Influence of Doping on the Microstructure and Kinetic Parameters of GaSb–FeGa1.3 Eutectics. Crystallography Reports, Vol. 57, No. 7, pp. 923–926,2012
9. Structural features and electrical conductivity of the GaSb-FeGa1.3 and GaSb-CoGa1.3 eutectic composites Moldavian Journal of the Physical Sciences, Vol. 11, N3, Pp. 157–162. 2012
10. Фазообразование в системе CuFeS2-CuInS2 при высоких давлениях и температурах сборник докладов Международной научной конференции "Актуальные проблемы физики твердого тела", Минск, Т.1, 209–211, 2011
11. Phonons scattering mechanisms in GaxIn1-xAs single crystals. Fizika, c No 3–4, p.63–69. 2010.