Aydın Kazımzadə 1950-ci il 8 avqustda Naxçıvan Muxtar Respublikasının Ordubad şəhərində anadan olmuşdur. 1967-cü ildə 1 saylı Ordubad şəhər orta məktəbini qızıl medalla, 1972-ci ildə Bakı Dövlət Universitetinin fizika fakültəsini bitirmişdir. O, 1972–1976-cı illərdə AМЕА-nın Fizika İnstitutunda laborant vəzifəsində işləmiş, 1975-ci ildə "İnSe və GaSe monokristallarında tarazlıqda olmayan elektron prosesləri" mövzusunda namizədlik dissertasiyası müdafiə edərək Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası ixtisası üzrə fizika-riyaziyyat elmləri namizədi adını almışdır. A.Kazımzadə 1976–1979-cu illərdə Bakı Dövlət Universitetinin Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasının assistenti, 1979–1986-cı illərdə həmin kafedranın baş müəllimi, 1986–1988-ci illərdə dosenti vəzifəsində çalışmışdır. Tədqiqatçı alim 1987-ci ildə "A₃B₆-tipli laylı birləşmələrin elektron xassələri və onların əsasında heterokontaktlar" mövzusunda doktorluq dissertasiyası müdafiə edərək Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası ixtisası üzrə fizika-riyaziyyat elmləri doktoru adını almışdır. 1988–1996-cı illərdə Bakı Dövlət Universitetinin Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasının professoru olan 1996–2011-ci illərdə həmin kafedranın müdiri vəzifəsində işləmişdir. O, eyni zamanda 2002–2011-ci illərdə Respublika Təhsil Nazirliyində Dünya Bankının təhsil üzrə məsləhətçisi vəzifəsində də çalışmışdır. Aydın Kazımzadə 2011-ci ildən Bakı Dövlət Universitetinin Elm və innovasiyalar üzrə prorektoru vəzifəsində çalışır.

Səmərəli və məhsuldar elmi fəaliyyətinə görə Aydın Kazımzadə 1976-cı ildə Elm və Texnika sahəsində Respublika Komsomol mükafatı Laureatı adına, 1993-cü ildə Beynəlxalq Elm Fondunun Soros mükafatına layiq görülmüşdür.

Aydın Kazımzadənin elmi fəaliyyətinin başlıca istiqamətləri: yarımkeçiricilər fizikası: bircins və qeyri-bircins yarımkeçiricilərin elektrik, fotoelektrik, optik və lüminessensiya xassələri; Yarımkeçirici cihazlar: metal-yarımkeçirici kontaktları, homo- və heterokeçidlər; Metal – dielektrik keçidlər; Axma nəzəriyyəsi: Qarşılıqlı təsirlərin birləşdirilməsi; Müəllim hazırlığı və kurrikulum sahəsində təhsil islahatları və sair sahələr üzrədir. İstedadlı alim ilk dəfə olaraq kristallik maddələrdə anomal fotokeçiricilik və elektrik sahəsi ilə induksiyalanmış aşqar fotokeçiriciliyi hadisələrini müşahidə etmiş, yarımkeçiricilərdə Oje rekombinasiyanın yeni mexanizmini təklif etmişdir. Laylı quruluşa malik olan kristallarda keçiriciliyin anomal böyük anizotropluğunun səbəbini aydınlaşdırmış və yüksək optik həyəcanlaşma halında Anderson keçidinin yeni növünü müşahidə etmişdir. Müstəvi və həcmi qəfəslərdə Mott keçidinin kriteriyalarını müəyyən etmişdir. Sendviç fotorezistorlarda fotokeçiriciliyin gücləndirilməsi üçün yeni mexanizm təklif etmişdir.

• Kazimzadə A.H. Elementar zərrəciklərin elektrik yükünün hesablamaq üçün emprik qayda (ingilis dilində).J.Modern Physics (Published) online), 2010, Vol 1, N 2, pp. 108–109]
• Kazımzadə A.H., Dadaşova V.V. GaSxSe1-x bərk məhlul kristallarında qadağan olunmuş zolağın eninin nüvələrin yükləri cəmi ilə əlaqəsi haqqında. Bakı Universitetinin xəbərləri, fiz.-riy.elm.ser.,2008,№ 2,s.116-119.
• Kazımzadə A.H., Salmanov V.M., Moxtari A.Q., Dadaşova V.V., Ağayeva A.A. GaSxSe1-x bərk məhlul monokristallarında elektroluminessensiya və fototriqqer effekti (rus dilində). Fizika i Texnika Poluprovodnikov, 2008, 42, N.5, s.532-535.
• Kazımzadə A.H., Ağayeva A.A., Salmanov V.M., Moxtari A.Q. GaSe monokristallarının yüksək optik həyəcanlaşma halında fotokeçiriciliyi (rus dilində). Neorqaniçeskiye materialı,2008, 44, № 4, s.1-5.
• Kazımzadə A.H., Ağayeva A.A., Salmanov V.M., Moxtari A.Q. GaSe və InSe layvari kristalları əsasında optik şüalanma detektorları (rus dilində). JTF,2007,77,№ 12,s.80-82.
• Kazımzadə A.H., Ağayeva A.A., Salmanov V.M., Moxtari A.Q. GaSe və InSe kristallarında pikosaniyə həyəcanlaşmasında eksiton udma (rus dilində), 2007, 43, № 12, s.1-5.
• Kazımzadə A.H., Salmanov V.M., Dadaşova V.V. GaSxSe1-x bərk məhlul monokristalları əsasında elektroluminessensiyalı çeviricilər (rus dilində), Prikladnaya fizika, 2007, № 4, s.119-121.
• Kazım-zadə A.H., Salmanov V.M., Abasova A.Z., Həsənova L.H., Dadasova V.V. А3В6-tip layvari kristalların elektrik xassələrinin xüsusiyyətləri (ingilis dilində). TPE-06 3 rd Intern. Conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering, Ankara, Turkiye, 2006, p. 655-658.
• Kazımzadə A.H., Dadaşova V.V. InSe-GaSxSe1-x heterokeçidləri əsasında koordinata-həssas bipolyar elementlər, AMEA-nın xəbərləri, 2005, 25, № 2, s.83-87.
• Kazımzadə A.H. Qarşılıqlı təsirlərin birləşdirilməsi haqqında. Bakı Universitetinin xəbərləri, fiz.-riy.elm.ser., 2004, № 1, s.93-108.
• Kazımzadə A.H., Abasova A.Z., Salmanov V.M. Həsənova L.H., Məmmədova A.H. –A3B6 –tip layvari kristallarda yığım defektlərinin öz-özünə təşkili və Anderson lokallaşması (ingilis dilində). Mat.Sci.and Engineering , 2002, B 88, p. 282-285.
• A.O.Mehrabov, A.H.Kazımzadə, R.T.Qəndilov. Tədris proqramının və prosesinin təşkilinin metodik prinsipləri (rus dilində), Baku, 2007.

1. 2002 Dünya Bankının "Pedaqoji təhsil/Vüəllim hazırlığı" üzrə Təhsil İslahatı Layihəsi, 3769 Az, Bakı, Azərbaycan
2. 2003 Dünya Bankının və Təhsilin İnkişafı Mərkəzinin (ABŞ) "Müəllimlərin peşəkarlıq səviyyəsinin inkişaf etdirilməsi" üzrə Təhsil İslahatı Layihəsi, 3769 Az, Bakı, Azərbaycan
3. 2005 Dünya Bankının "Fasiləsiz pedaqoji təhsil və müəllim hazırlığının konsepsiya və strategiyası" üzrə Təhsil İslahatı Layihəsi, 3769 Az-CS-IS-044, Bakı, Azərbaycan
4. 2006 Dünya Bankının ""Təhsilin əsasları" fənni üzrə kurrikulum və dərsliyin hazırlanması" Təhsil İslahatı Layihəsi, 3769 Az-CS-IS-044, Bakı, Azərbaycan
5. 2008 YUNİSEF-in "İbtidai sinif müəllimlərinin hazırlığı üzrə Çərçivə kurrikulumunun təftişi" Təhsil İslahatı Layihəsi, Bakı, Azərbaycan
6. 2009-2011 Dünya Bankının "Əlavə təhsilin müasirləşdirilməsi" Təhsil İslahatı Layihəsi, 3769 Az Bakı, Azərbaycan

• AMEA-nın müxbir üzvlərinin siyahısı