İbrahim Abbasov25
Исследовательская работа Морозовой Н.К. охватывает период 1959 – 2024г. Работы посвящены одному направлению: кислород в соединениях А2В6, используемых для целей оптоэлектроники. С 1960г Морозова Н.К. работала на кафедре Полупроводниковые Приборы Московского Энергетического Института, работала в качестве аспиранта, доцента, профессора (с1988г).
Исследования, проведенные до 2000г, в основном посвящены проверке и обоснованию присутствия кислорода. а также его участия в излучении кристаллов А2В6. Получены доказательства возможности влияния кислорода на значительный длинноволновый сдвиг края фундаментального поглощения. Были проверены возможности определения малых количество этой примеси согласно прецизионным методам анализов и отработаны новые методики анализов присутствия кислорода в кристаллах,
Подтверждено расположение кислорода в узлах решетки для реальных кристаллов. Выяснено, что результаты анализов, полученных для всего объема кристалла, не совпадают с результатами измерения оптических спектров поглощения и излучения с различием до трёх порядков. Получено подтверждение, что увеличение концентрации кислорода достигается при увеличении металлической компоненты в кристаллах.
Предложена модель кислородного центра с учетом разработок института ФТТ Латвии по изменению элементарной ячейки при введении примеси. При этом учтено влияние химических связей между элементами. Выяснена связь кислорода с равновесием собственных точечных дефектов СТД в кристалле. Рассчитаны диаграммы равновесия СТД в кристаллах ZnS, ZnSe, CdS с отклонением от стехиометрии.
Теоретически обоснование возможности присутствия кислорода в кристаллах получило подтверждение только с возникновением теории анти пересекающихся зон (ВАС), которая получила широкую огласку в литературе в начале 2000гг. Теория ВАС предполагала возможность присутствия изоэлектронных примесей земной атмосферы в малых количествах, в частности азота в А3В5 или кислорода в А2В6.
Эта теория позволила объяснить полученные нами результаты на соединениях ZnSO, ZnSeO в области края фундаментального поглощения. Согласно теории анти пересекающихся зон нами предложена модель. Объясняющая возникновение узко линейчатых спектров краевого свечения, а также зависимость этого свечения от концентрации кислорода. Определена связь этих полос с используемым лазерным излучением кристаллов А2В6.
Результаты, полученные нами ранее 1960-1980гг, позволили уточнить реальное распределение кислорода в кристалле. Преимущественная сегрегация кислорода на дефектах упаковки объяснила несоответствие результатов химических анализов и оптических данных при практически однородном распределении кислорода по объему кристалла.
Исследования последних лет описывают распределение и фазовое состояния кислорода в кристаллах, выращенных разными методами. Это кристаллизация моно образцов из жидкой и газовой фазы, гидротермальным или СVD методами. Показано, что структурные особенности роста кристаллов также влияют на распределение кислородных центров и их оптические свойства. Полученные результаты позволяют выяснить составы кристаллов А2В6 с сочетанием дефектов, определяющих стабильное состояние для использования образцов в оптоэлектронике.