Vilyam Bredford Şokli (ing. William Bradford Shockley; 13 fevral 1910[…], London – 12 avqust 1989[…], Stenford[d], Kaliforniya) — Amerikalı fizik, tranzistorun müəlliflərindən biri, Fizika üzrə Nobel mükafatı laureatı (1956).
| Vilyam Şokli | |
|---|---|
| ing. William Bradford Shockley | |
 | |
| Doğum tarixi | 13 fevral 1910[…] |
| Doğum yeri |
|
| Vəfat tarixi | 12 avqust 1989[…](79 yaşında) |
| Vəfat yeri |
|
| Vəfat səbəbi | prostat xərçəngi |
| Dəfn yeri |
|
| Elm sahəsi | yarımkeçiricilər fizikası[d] |
| Elmi dərəcəsi |
|
| İş yerləri | |
| Təhsili |
|
| Üzvlüyü |
|
| Mükafatları |
|
 Vikianbarda əlaqəli mediafayllar | |
Həyatı
Vilyam Bredford Şokli 13 fevral 1910-cu ildə Londonda anadan olmuşdur.
Fəaliyyəti
Tranzistorun müəlliflərindən biri, amerikalı fizik Vilyam Bredford Şokli 1956-cı ildə fizika üzrə Nobel mükafatına layiq görülmüşdür. 1963–1975-ci illərdə Stenford Universitetində professor vəzifəsində çalışmışdır.
Mükafatları
- 1946-cı ildə müharibə işləri üçün Meritin Milli Medalı.
- 1953-cü ildə Milli Elmlər Akademiyasının Fizika üzrə Comstock mükafatı.
- 1953-cü ildə Amerika Fiziki Cəmiyyətinin Oliver E. Buckley Solid State Physics Mükafatının ilk alıcısı.
- 1956-cı ildə fizika sahəsində Nobel mükafatı almış, John Bardeen və Walter Brattain ilə birlikdə. Nobel dərsində Brattain və Bardeenə nöqtə kontakt transistorunun ixtiraçıları olaraq tam kredit verdilər. Üçü, arvadları və qonaqları ilə birgə qeyd etmək üçün çox gecikməyən gecə şampan-yanacaqlı partiyaya sahib idi.
- 1963-cü ildə Amerika Mexanika Mühəndisləri Cəmiyyətinin Holley Medalı.
- 1963-cü ildə Wilhelm Exner Medalı.
- Pensilvaniya Universitetinin fəxri elmlər doktoru, New Jersey Rutgers Universiteti və Minnesota Gustavus Adolphus Kollecləri.
- 1980-ci ildə Elektrik və Elektronika Mühəndisləri İnstitutunun IEEE Şərəf Medalı (IEEE).
- 20-ci əsrin 100 ən nüfuzlu insanlarından biri olaraq Time Magazine tərəfindən adlandırılmışdır.
- MIT-in 150 illik tarixində ən yaxşı 150 yenilikçi və ideyanın Boston Globe-un 2011 MIT150 siyahısında # 3 siyahıda.
Patentləri
Vilyam Bredford Şokli doxsan ABŞ patentinə layiq görülmüşdür. Bəzi olanlar bunlardır:
- Yarıiletkenli Amplifikatör. 4 aprel 1950; Tranzistorları əhatə edən ilk verilmiş patent.
- Yarımkeçirici materialdan istifadə olunan dövrə elementi. 25 sentyabr 1951; Ən qabaqcadan keçən (26 iyun, 1948) transistorlara aid patent.
- Bistable Devreler. 13 oktyabr 1953; Kompüterlərdə istifadə olunur.
- Ionik Bomba ilə Yarımkeçirici Cihazların Yaradılması. 2 aprel 1957; Çirkləri implantasiya üçün diffuziya prosesi.
- Tək kristalların yetişdirilməsi prosesi. 24 aprel 1962; Əsas materialların istehsalı prosesində təkmilləşmələr.
- Silikon Karbid Kristallarının Yetişdirilməsi Yöntemi. 11 sentyabr 1962; Digər yarımkeçiriciləri araşdırmaq.
Kitabları
- Shockley, William – Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics, Krieger (1956) ISBN 0-88275-382-7.
- Shockley, William and Gong, Walter A – Mechanics Charles E. Merrill, Inc. (1966).
- Shockley, William and Pearson, Roger – Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott-Townsend (1992) ISBN 1-878465-03-1.
Ədəbiyyat
- Əliquliyev R. M., Salmanova P. M. İnformasiya cəmiyyəti: maraqlı xronoloji faktlar. Bakı: "İnformasiya Texnologiyaları" nəşriyyatı, 2013, 169 səh.
İstinadlar
- ↑ William B. Shockley // (ing.).
- ↑ Societies A. C. o. L., Press O. U., Cooper D. Y. William Bradford Shockley // Shockley, William Bradford (13 February 1910–12 August 1989), physicist (ing.). // American National Biography Online / S. Ware [New York]: Oxford University Press, 2017. ISSN
- ↑ (ing.). 2002.
- ↑ Шокли Уильям Брэдфорд // Большая советская энциклопедия (rus.): [в 30 т.]. / под ред. А. М. Прохоров 3-е изд. Москва: Советская энциклопедия, 1969.