Ətraflı bax:

Rezistorlar dövrəni qurmağa kömək etmək üçün müxtəlif kombinasiyalarda birləşdirilə bilir.

• Ardıcıl – Rezistorlar bir birinin ardınca birləşdirilir.

• Paralel – Rezistorlar bir birinin üstündə birləşdirilir.

Rezistorların hazırlanmasında nəzərə alınmalıdır ki, 3 mkm-ə qədər nazik yarımkeçirici qat şəklində olur. Onların altlığın digər adacıqlarında yaradılan tranzistor strukturları ilə eyni zamanda formalaşdırmaq lazımdır. Belə rezistorlar adlanır. Rezistorlar da başqa elementlərlə bağlı p-n keçidləri vasitəsi ilə izolə edilir. Əsasən tranzistor strukturunun baza və ya emitter qatının diffuziya rezistoru kimi istifadə edilməsidir. Baza qatının üzərində böyük müqavimətli, emitter qatı üzərində isə kiçik müqavimətli rezistorlar alınır. Baza qatı əsasında alınan diffuziya rezistorunun strukturundan görünür ki, o digər elementlərdən ən azı iki əks qoşulmuş p-n keçidlə izolə olunmuşdur. Tətbiq olunan gərginliyin işarəsindən asılı olmayaraq qarşı-qarşıya qoşulmuş p-n keçidlər sistemi həmişə bağlıolur. Bipolyar tranzistorun emitter qatı əsasında alınan diffuziya rezistorunun yaranması verilib. p-n keçidlərlə izolə olunmuş diffuziya rezistorları 20 MHs-ə qədər tezlikdə işləyə bilər. MDY strukturunda rezistor kimi MDY tranzistorları istifadə olunur. Burada kanal rezistiv cərəyan axıdan cığır kimi təsvir edilir və en kəsiyi yuxa-rıdan n tipli aşqarlı diffuziya həyata keçirməklə keçirilir. Bu rezistorlar qeyri xətti xarakteristikaya malikdirlər.